BSC084P03NS3E G
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BSC084P03NS3E G参数：MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：5,000
系列：OptiMOS™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：14.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 110µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：57.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4240pF @ 15V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8